Longhao Yan

新型存储 · 存算一体 · 智能计算

闫龙皞Longhao Yan

大算力、高能效存算一体 AI 芯片

围绕器件工艺、阵列集成、芯片架构与算法应用开展交叉研究，探索从新型存储器件到智能系统的完整技术链路。

代表成果展示 芯片与应用展示
闫龙皞的个人照片
北京大学 · 博士后 Postdoctoral Researcher

ABOUT

从新型存储器到高能效智能计算

本人长期围绕高能效存算一体芯片开展系统研究，具备从器件工艺、阵列集成、芯片架构到算法应用的交叉研究能力。

研究成果包括国际顶尖期刊与会议论文 27 篇，其中以第一作者（含共同第一作者）或通讯作者发表 17 篇，包括 Science（IF=47.3）、IEDM（5 篇一作）、Advanced Functional Materials（IF=19.9，封面）、Advanced Science（IF=14.1）、ESSERC（4 篇）、EDTM（3 篇）等；合作成果包括 Nature Electronics（IF=40.9）、Nature Communications（IF=15.7）、Advanced Materials（IF=26.8）等。

主持国家自然科学基金青年基金 C 类、国家自然科学基金联合基金重点项目（课题）和中国博士后科学基金面上项目等科研任务，参与国家重点研发计划、基金委重大研究计划集成项目、新基石研究员项目，以及多项与华为、国家电网、中芯国际和阿里巴巴达摩院等合作应用项目。

RESEARCH

研究方向

从底层物理器件出发，构建面向真实智能任务的高能效计算系统。

物理器件 存算一体芯片 智能应用
01

新型存储器工艺

面向新型存储器件特性、阵列集成、可靠性和多级存储研究。

Emerging Memory
02

存算一体芯片设计

研究模拟、数字与混合精度存算一体架构，覆盖宏单元、SoC 与系统验证。

Compute-in-Memory
03

人工智能算法设计

面向大语言模型、具身智能、多模态融合与脑机接口的软硬件协同优化。

AI Algorithms

CHIPS & APPLICATIONS

芯片与应用

芯片原型与应用验证，贯通架构设计与真实智能系统。

点击切换
面向神经动力学的忆阻存算一体芯片
C01

面向神经动力学的忆阻存算一体芯片

Science · 2026144 KbMacro 级

面向多模态融合的忆阻存算一体芯片
C02

面向多模态融合的忆阻存算一体芯片

IEDM · 20259 MbSoC 级

面向具身学习的忆阻存算一体芯片
C03

面向具身学习的忆阻存算一体芯片

IEDM · 20258 MbSoC 级

面向混合精度计算的忆阻存算一体芯片
C04

面向混合精度计算的忆阻存算一体芯片

IEDM · 2025 / ESSERC · 2026256 KbMacro 级

面向脑机解码的忆阻存算一体芯片
C05

面向脑机解码的忆阻存算一体芯片

IEDM · 2024288 KbMacro 级

面向不确定性量化的忆阻存储芯片
C06

面向不确定性量化的忆阻存储芯片

IEDM · 20214 MbArray 级

耐磨损高可靠性忆阻存算一体芯片
C07

耐磨损高可靠性忆阻存算一体芯片

ESSERC · 20268 MbSoC 级

第一代电荷域高能效忆阻存算一体芯片
C08

第一代电荷域高能效忆阻存算一体芯片

ESSERC · 20251 MbMacro 级

第二代电荷域高能效忆阻存算一体芯片
C09

第二代电荷域高能效忆阻存算一体芯片

ESSERC · 2026128 KbMacro 级

可扩展电荷域忆阻存算一体芯片
C10

可扩展电荷域忆阻存算一体芯片

ICTA · 2025 / ICAS · 202664 KbMacro 级

SELECTED PUBLICATIONS

代表性成果

以第一作者（含共同第一作者）和通讯作者（含共同通讯作者）发表的论文成果

点击筛选
  1. Science · 2026IF47.3第一作者

    A sub-10-millisecond neural dynamical system based on phase-change memristors

    Lei Cai#, Yaoyu Tao#*, Chenchen Xie#, Longhao Yan#, et al.

  2. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) · 2025第一作者Technical Highlight

    An 8Mb Learning-Aware RRAM Compute-in-Memory Accelerator for Embodied Self-Supervised Learning

    Longhao Yan#, Zhe Zhan#, Zelun Pan, et al.

  3. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) · 2021第一作者Top Ranked Student Paper

    Uncertainty Quantification Based on Multilevel Conductance and Stochasticity of Heater Size Dependent C-doped PCM Chip

    Longhao Yan, Xi Li, Yihang Zhu, et al.

  4. Advanced Functional Materials · 2023IF19.9第一作者封面文章

    Neural Architecture Search with In-Memory Multiply-Accumulate and In-Memory Rank Based on Coating Layer Optimized C-doped Phase Change Memory

    Longhao Yan, Qingyu Wu, Xi Li, et al.

  5. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) · 2025第一作者

    Efficient Multimodal Fusion with Intelligent Predictive Programming Based on 64-Core PCM Compute-in-Memory Processor

    Longhao Yan#, Zitong Zheng#, Xi Li, et al.

  6. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) · 2024第一作者

    Neural Manifold Learning Based on 40 nm Dual-Mode PCM Compute-in-Memory Chip with Hardware Adaptive Drift Compensation

    Longhao Yan#, Yuqi Li#, Xi Li, et al.

  7. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) · 2025第一作者

    A 40nm Mixed-Precision PCM Chip with Fused Analog/Digital Compute-in-Memory and Adaptive Drift Compensation for Embodied AI Applications

    Zelun Pan#, Longhao Yan#, Xile Wang, et al.

  8. Advanced Science · 2025IF14.1通讯作者

    Memristive In-Memory Object Detection with 128 Mb C-doped PCM Chip

    Chenchen Xie#, Yuqi Li#, Longhao Yan*, et al.

  9. IEEE European Solid-State Electronics Research Conference (ESSERC) · 2025第一作者

    A 1308 TOPS/W Charge-Mode ReRAM CIM Macro with 4T2R2C Differential Cell and FIA-Based Analog Accumulation for AI Inference

    Longhao Yan#, Zelun Pan#, Zhe Zhan, et al.

  10. IEEE European Solid-State Electronics Research Conference (ESSERC) · 2026第一作者通讯作者

    A Hybrid Analog-Digital RRAM CIM System with 4T2R1C Charge-Domain ACIM and RL-Driven Mixed-Precision Deployment for AI Inference

    Minghui Yin#, Jiukai Fang#, Longhao Yan#*, et al. · 已接收

  11. IEEE European Solid-State Electronics Research Conference (ESSERC) · 2026第一作者通讯作者

    An 8Mb 16-Core Wear-Resilient RRAM Compute-in-Memory Processor with Overshoot-Optimized MLC Programming and Compute-Aware Wear Leveling for Aerial Embodied Learning

    Ruiheng Wang#, Longhao Yan#*, Daijing Shi, et al. · 已接收

  12. IEEE European Solid-State Electronics Research Conference (ESSERC) · 2026通讯作者

    A 40nm 3.58 mJ/Frame PCM-Based POSIT/INT Mixed-Precision Digital/Analog CIM Chip for Edge Foveated Rendering

    Bowen Wang#, Zelun Pan#, Zhe Zhan, Longhao Yan*, et al. · 已接收

COMPLETE PUBLICATION RECORD

全部论文

完整收录期刊与会议论文，按年份倒序排列。

显示 27 / 27 篇论文

2026

2025

2024

2023

2022

2021

2020

EXPERIENCE

教育与工作经历

北京大学 · 博士后

合作导师：杨玉超（国家杰青、新基石研究员）

北京大学 · 博士

博士导师：黄如（中国科学院院士）

江南大学 · 学士

MORE

更多学术信息

科研项目、学术认可与完整论文档案

PROJECTS

科研项目

2025 — 2027 · 主持

国家自然科学基金青年基金 C 类

基于电荷域计算的忆阻存算一体芯片研究

2026 — 2029 · 课题负责人

国家自然科学基金联合基金重点项目

面向脑机接口神经康复的忆阻器感存算一体芯片研究

2024 — 至今 · 主持

中国博士后科学基金面上项目

面向浮点数计算的数字型忆阻存算一体芯片研究

RECOGNITION

学术认可

  • Technical HighlightIEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2025
  • Top Ranked Student PaperIEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2021
  • Best Paper Award FinalistIEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (ICTA) 2025
  • Cover ArticleAdvanced Functional Materials 2023

CONTACT

欢迎围绕新型存储与存算一体研究交流合作

Email yanlonghao@pku.edu.cn